IRF3205LPBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF3205LPBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 110A TO262 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-262 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V |
Verlustleistung (max) | 200W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3247 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF3205 |
IRF3205LPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF3205LPBF PDF - EN.pdf |
IRF3205PBF(94-4311PBF) IR
CHN TO-220
IR TO-220
IRF3205 IR
IRF3205. Original
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IRF3205NS IR
INFINEON TO-220
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
IR 10+
IR TO-263
IR TO-220
IR TO220
IRF3205PBF-C IR
IR TO-220
IRF3203 IR
IRF3205PBF. IR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF3205LPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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